什么是峰值逆电压及其工作

我们知道有不同类型的材料携带即Cu,Al,Ge,Si等这些材料被称为半导体用于几种电子设备。这些半导体材料是电力的好导体,包括良好的导电性。这些材料具有1EV的轻微禁止间隙,电子从一个带传递到另一个乐队以进行传导。可以使用两种材料的制造方法来完成PN结二极管的形成p型n型。该二极管可以用硅材料制成,以便被称为硅二极管。本文讨论了峰值逆电压(PIV)的概述。

什么是峰值逆电压?

当。。。的时候PN结二极管抵抗反向电压的最大值而不伤害本身被称为它的PIV(峰值逆电压)。PIV的评级可以根据制造商而变化。但是,如果在反向偏置条件下的PN结两端的电压会增强超出该特定值,那么结来将破裂。


峰值逆电压
峰值逆电压

它还可以定义为当二极管抵抗反向偏置的条件下的最高电压时。在上图中,PN结用作整流器,主要功能是将AC转换为DC。因此,在负半周期期间,必须注意,因为AC电压的最高值必须低于二极管PIV的额定值。

峰值逆电压的重要性是什么?

术语PIV代表“峰值逆电压”,并且一旦它是非导通的,它就会出现在PN结二极管上的最大电压。当二极管反向偏置时,当它在反向偏置的电路中连接到二极管中的端子上的最大电压是不进行的。

每个二极管都具有基于制造商的特定PIV值。反向偏置的电压必须击败此PIV,否则二极管会损坏。通常,与GE(锗)二极管相比,Si(硅)二极管的最高额定PIV更多。二极管可以在反向非导电区域内抵抗二极管的最大峰值电压被称为PIV。因此,到达该最大电压,二极管可以阻挡相反方向内的电流的导通,因为二极管是单向装置。

如果二极管的电压高于PIV,则施加在PN结二极管上,然后在整个雪崩击穿过程中行进。因此,潜在的屏障将损坏,并且在整个相反的方向上供应高脉冲电流。这种高电流可能会损坏二极管以及器件。因此电压应更高的PIV,以便可以保护DE器件。


PIV计算

为了峰值逆电压计算,可以考虑以下电路。可以在二极管的反向偏压中完成用于SI二极管的PIV的计算。在下面的电路中,有两个二极管即d1&d2。这里,二极管的“D2”在反向偏见中连接,因此变压器的次级绕组完全电压将掉落。

二极管的PIV额定值
二极管的PIV额定值

这里,假设D1二极管的电压降为零。D1二极管以转发偏置连接,而D2以反向偏置连接。因此,PIV是逆电压的波峰值,其中二极管连接到变压器的次级绕组。在电路中,让点A&B是GND终端的-ESM&+ ESM。可以忽略D1上的电压降。

因此,D2二极管两端的反向电压的波峰值是“2esm”

二极管的PIV是2esm =πe在dc |IDC = 0.

这里,ESM是次级绕组的一半的AC电压的最大值betway88必威官网备用

如果假定二极管上的电压降,则可以给出反向偏置二极管的峰值逆电压,如图所示,

PIV = 2esm - 0.7

使用如上所述的二极管公式的峰值逆电压,因为只有一个二极管一次可以进行。

半波整流器的PIV

为了获得峰值逆电压的基本思想,我们必须专注于终端的电压半导体二极管一旦反向偏见。这里,使用下面示出的开关替换二极管。

PIV在HWR.
PIV在HWR.

从上述电路,我们可以观察到在二极管的端子上以反向偏置连接时出现的电压相当于AC电源电压的半周期的“VMSINωt”。在这里,这是正弦形式。

当正弦交流电源的峰值值为“Vm”时,二极管上的最高电压是反向偏置,也可以等同于“Vm”。因此,HWR(半波整流器)中的半导体二极管的PIV等于电压供应的峰值值。

桥式整流器的PIV

全波的电路图桥式整流器如下所示。在该电路中,短路了两个二极管。由于整个电压的+ vE半周期,所以对角相反的两个二极管可以传导它们被短路。我们可以观察到,横跨两个二极管的电压可以相当于电压供应,并且它们反向偏置。

桥式整流器的PIV
桥式整流器的PIV

因此,在每个非导电二极管偏置的最大反转的电压可以等于电压电源电压的CREST值。因此,桥式整流器内的二极管的PIV可以等同于电压供应的峰值值。

因此,在类似于半波的整流器中的二极管的PIV,桥和中心螺纹FWR是VM,相应地,其中'VM'是电压供应的峰值值。

因此,这一切都是关于峰值逆电压概述或半导体二极管,桥式整流器和半波整流器的PIV。这是一个问题的问题,整流电路的PIV等级是什么?

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